ซื้อ GeneSiC Semiconductor MBR30080CTR DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

MBR30080CTR

DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

ส่วนจำนวน

MBR30080CTR

ผู้ผลิต/แบรนด์

GeneSiC Semiconductor

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Bulk

ประเภทการติดตั้ง

Chassis Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

Twin Tower

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

Twin Tower

ประเภทไดโอด

Schottky

แรงดันไฟฟ้า - เดินหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า

840mV @ 150A

กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr

8mA @ 20V

การกำหนดค่าไดโอด

1 Pair Common Anode

แรงดันไฟฟ้า - กระแสตรงย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)

80V

ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยที่แก้ไข (Io) (ต่อไดโอด)

300A (DC)

ความเร็ว

Fast Recovery = 200mA (Io)

เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)

อุณหภูมิในการทำงาน-ทางแยก

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 29393 PCS

ข้อมูลติดต่อ