ซื้อ GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

MBR60035CTL

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

ส่วนจำนวน

MBR60035CTL

ผู้ผลิต/แบรนด์

GeneSiC Semiconductor

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Bulk

ประเภทการติดตั้ง

Chassis Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

Twin Tower

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

Twin Tower

ประเภทไดโอด

Schottky

แรงดันไฟฟ้า - เดินหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า

600mV @ 300A

กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr

3mA @ 35V

การกำหนดค่าไดโอด

1 Pair Common Cathode

แรงดันไฟฟ้า - กระแสตรงย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)

35V

ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยที่แก้ไข (Io) (ต่อไดโอด)

300A

ความเร็ว

Fast Recovery = 200mA (Io)

เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)

อุณหภูมิในการทำงาน-ทางแยก

-55°C ~ 150°C

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 32970 PCS

ข้อมูลติดต่อ