ซื้อ GeneSiC Semiconductor MURTA40020R DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

MURTA40020R

DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

ส่วนจำนวน

MURTA40020R

ผู้ผลิต/แบรนด์

GeneSiC Semiconductor

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Bulk

ประเภทการติดตั้ง

Chassis Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

Three Tower

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

Three Tower

ประเภทไดโอด

Standard

แรงดันไฟฟ้า - เดินหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า

1.3V @ 200A

กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr

25µA @ 200V

การกำหนดค่าไดโอด

1 Pair Common Anode

แรงดันไฟฟ้า - กระแสตรงย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)

200V

ปัจจุบัน - ค่าเฉลี่ยที่แก้ไข (Io) (ต่อไดโอด)

200A

ความเร็ว

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)

อุณหภูมิในการทำงาน-ทางแยก

-55°C ~ 150°C

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 19088 PCS

ข้อมูลติดต่อ