GP1M009A060FH
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
ส่วนจำนวน
GP1M009A060FH
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-220-3 Full Pack
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220F
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
51.4W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
27nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1440pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 23787 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ GP1M009A060FH
GP1M009A060FH ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
GP1M009A060FH ฝ่ายขาย
GP1M009A060FH ผู้จัดหา
GP1M009A060FH ผู้จัดจำหน่าย
GP1M009A060FH ตารางข้อมูล
GP1M009A060FH ภาพถ่าย
GP1M009A060FH ราคา
GP1M009A060FH เสนอ
GP1M009A060FH ราคาต่ำสุด
GP1M009A060FH ค้นหา
GP1M009A060FH การจัดซื้อ
GP1M009A060FH Chip