IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
ส่วนจำนวน
IPD040N03LGATMA1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
OptiMOS™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PG-TO252-3
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
79W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
90A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3900pF @ 15V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 53639 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IPD040N03LGATMA1
IPD040N03LGATMA1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPD040N03LGATMA1 ฝ่ายขาย
IPD040N03LGATMA1 ผู้จัดหา
IPD040N03LGATMA1 ผู้จัดจำหน่าย
IPD040N03LGATMA1 ตารางข้อมูล
IPD040N03LGATMA1 ภาพถ่าย
IPD040N03LGATMA1 ราคา
IPD040N03LGATMA1 เสนอ
IPD040N03LGATMA1 ราคาต่ำสุด
IPD040N03LGATMA1 ค้นหา
IPD040N03LGATMA1 การจัดซื้อ
IPD040N03LGATMA1 Chip