IPD60R600E6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
ส่วนจำนวน
IPD60R600E6
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
CoolMOS™
สถานะชิ้นส่วน
Discontinued at Digi-Key
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PG-TO252-3
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
63W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
7.3A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20.5nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
440pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 18114 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IPD60R600E6
IPD60R600E6 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPD60R600E6 ฝ่ายขาย
IPD60R600E6 ผู้จัดหา
IPD60R600E6 ผู้จัดจำหน่าย
IPD60R600E6 ตารางข้อมูล
IPD60R600E6 ภาพถ่าย
IPD60R600E6 ราคา
IPD60R600E6 เสนอ
IPD60R600E6 ราคาต่ำสุด
IPD60R600E6 ค้นหา
IPD60R600E6 การจัดซื้อ
IPD60R600E6 Chip