ซื้อ Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

IPD80R2K8CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

ส่วนจำนวน

IPD80R2K8CEBTMA1

ผู้ผลิต/แบรนด์

Infineon Technologies

ชุด

CoolMOS™

สถานะชิ้นส่วน

Discontinued at Digi-Key

บรรจุภัณฑ์

Digi-Reel®

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-252-3

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

42W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

800V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

1.9A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

2.8 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 120µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

12nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

290pF @ 100V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 13362 PCS

ข้อมูลติดต่อ