รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
ส่วนจำนวน
IPD80R2K8CEBTMA1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
CoolMOS™
สถานะชิ้นส่วน
Discontinued at Digi-Key
บรรจุภัณฑ์
Digi-Reel®
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-252-3
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
42W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
800V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
1.9A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
12nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
290pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 13362 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ IPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IPD80R2K8CEBTMA1 ฝ่ายขาย
IPD80R2K8CEBTMA1 ผู้จัดหา
IPD80R2K8CEBTMA1 ผู้จัดจำหน่าย
IPD80R2K8CEBTMA1 ตารางข้อมูล
IPD80R2K8CEBTMA1 ภาพถ่าย
IPD80R2K8CEBTMA1 ราคา
IPD80R2K8CEBTMA1 เสนอ
IPD80R2K8CEBTMA1 ราคาต่ำสุด
IPD80R2K8CEBTMA1 ค้นหา
IPD80R2K8CEBTMA1 การจัดซื้อ
IPD80R2K8CEBTMA1 Chip