ซื้อ Infineon Technologies IRF8302MTR1PBF MOSFET N CH 30V 31A MX

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

IRF8302MTR1PBF

MOSFET N CH 30V 31A MX

ส่วนจำนวน

IRF8302MTR1PBF

ผู้ผลิต/แบรนด์

Infineon Technologies

ชุด

HEXFET®

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-40°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

DirectFET™ Isometric MX

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

DIRECTFET™ MX

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

30V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

31A (Ta), 190A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

53nC @ 4.5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

6030pF @ 15V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 15099 PCS

ข้อมูลติดต่อ