IRLMS2002GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
ส่วนจำนวน
IRLMS2002GTRPBF
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
HEXFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
SOT-23-6
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
Micro6™(SOT23-6)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2W (Ta)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
6.5A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22nC @ 5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1310pF @ 15V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
2.5V, 4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±12V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 8221 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IRLMS2002GTRPBF
IRLMS2002GTRPBF ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IRLMS2002GTRPBF ฝ่ายขาย
IRLMS2002GTRPBF ผู้จัดหา
IRLMS2002GTRPBF ผู้จัดจำหน่าย
IRLMS2002GTRPBF ตารางข้อมูล
IRLMS2002GTRPBF ภาพถ่าย
IRLMS2002GTRPBF ราคา
IRLMS2002GTRPBF เสนอ
IRLMS2002GTRPBF ราคาต่ำสุด
IRLMS2002GTRPBF ค้นหา
IRLMS2002GTRPBF การจัดซื้อ
IRLMS2002GTRPBF Chip