IXFK80N60P3
MOSFET N-CH 600V 80A TO264
ส่วนจำนวน
IXFK80N60P3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
HiPerFET™, Polar3™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-264-3, TO-264AA
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-264AA (IXFK)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1300W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
190nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
13100pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 6210 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IXFK80N60P3
IXFK80N60P3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IXFK80N60P3 ฝ่ายขาย
IXFK80N60P3 ผู้จัดหา
IXFK80N60P3 ผู้จัดจำหน่าย
IXFK80N60P3 ตารางข้อมูล
IXFK80N60P3 ภาพถ่าย
IXFK80N60P3 ราคา
IXFK80N60P3 เสนอ
IXFK80N60P3 ราคาต่ำสุด
IXFK80N60P3 ค้นหา
IXFK80N60P3 การจัดซื้อ
IXFK80N60P3 Chip