IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO-263
ส่วนจำนวน
IXTA200N055T2
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchT2™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-263 (IXTA)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
360W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
55V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
200A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
109nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6800pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 34160 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IXTA200N055T2
IXTA200N055T2 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IXTA200N055T2 ฝ่ายขาย
IXTA200N055T2 ผู้จัดหา
IXTA200N055T2 ผู้จัดจำหน่าย
IXTA200N055T2 ตารางข้อมูล
IXTA200N055T2 ภาพถ่าย
IXTA200N055T2 ราคา
IXTA200N055T2 เสนอ
IXTA200N055T2 ราคาต่ำสุด
IXTA200N055T2 ค้นหา
IXTA200N055T2 การจัดซื้อ
IXTA200N055T2 Chip