IXTA64N10L2
N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
ส่วนจำนวน
IXTA64N10L2
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Linear L2™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-263AA
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
357W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
100V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
64A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
100nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3620pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 47537 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IXTA64N10L2
IXTA64N10L2 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IXTA64N10L2 ฝ่ายขาย
IXTA64N10L2 ผู้จัดหา
IXTA64N10L2 ผู้จัดจำหน่าย
IXTA64N10L2 ตารางข้อมูล
IXTA64N10L2 ภาพถ่าย
IXTA64N10L2 ราคา
IXTA64N10L2 เสนอ
IXTA64N10L2 ราคาต่ำสุด
IXTA64N10L2 ค้นหา
IXTA64N10L2 การจัดซื้อ
IXTA64N10L2 Chip