IXTH50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
ส่วนจำนวน
IXTH50N25T
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-247-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-247 (IXTH)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
400W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
250V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
78nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4000pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 16127 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IXTH50N25T
IXTH50N25T ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IXTH50N25T ฝ่ายขาย
IXTH50N25T ผู้จัดหา
IXTH50N25T ผู้จัดจำหน่าย
IXTH50N25T ตารางข้อมูล
IXTH50N25T ภาพถ่าย
IXTH50N25T ราคา
IXTH50N25T เสนอ
IXTH50N25T ราคาต่ำสุด
IXTH50N25T ค้นหา
IXTH50N25T การจัดซื้อ
IXTH50N25T Chip