IXTH60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
ส่วนจำนวน
IXTH60N20L2
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
Linear L2™
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-247-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-247 (IXTH)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
540W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
200V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
255nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
10500pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 7945 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IXTH60N20L2
IXTH60N20L2 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IXTH60N20L2 ฝ่ายขาย
IXTH60N20L2 ผู้จัดหา
IXTH60N20L2 ผู้จัดจำหน่าย
IXTH60N20L2 ตารางข้อมูล
IXTH60N20L2 ภาพถ่าย
IXTH60N20L2 ราคา
IXTH60N20L2 เสนอ
IXTH60N20L2 ราคาต่ำสุด
IXTH60N20L2 ค้นหา
IXTH60N20L2 การจัดซื้อ
IXTH60N20L2 Chip