2N6770T1
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA
ส่วนจำนวน
2N6770T1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Bulk
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-254AA
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
4W (Ta), 150W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
120nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 10559 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ 2N6770T1
2N6770T1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
2N6770T1 ฝ่ายขาย
2N6770T1 ผู้จัดหา
2N6770T1 ผู้จัดจำหน่าย
2N6770T1 ตารางข้อมูล
2N6770T1 ภาพถ่าย
2N6770T1 ราคา
2N6770T1 เสนอ
2N6770T1 ราคาต่ำสุด
2N6770T1 ค้นหา
2N6770T1 การจัดซื้อ
2N6770T1 Chip