APT10M11JVR
MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
ส่วนจำนวน
APT10M11JVR
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
POWER MOS V®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
SOT-227-4, miniBLOC
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
ISOTOP®
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
450W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
100V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
144A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
450nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
10300pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 36969 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ APT10M11JVR
APT10M11JVR ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
APT10M11JVR ฝ่ายขาย
APT10M11JVR ผู้จัดหา
APT10M11JVR ผู้จัดจำหน่าย
APT10M11JVR ตารางข้อมูล
APT10M11JVR ภาพถ่าย
APT10M11JVR ราคา
APT10M11JVR เสนอ
APT10M11JVR ราคาต่ำสุด
APT10M11JVR ค้นหา
APT10M11JVR การจัดซื้อ
APT10M11JVR Chip