รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
APTM100U13SG

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A J3
ส่วนจำนวน
APTM100U13SG
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Discontinued at Digi-Key
บรรจุภัณฑ์
Bulk
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
J3 Module
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
Module
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1250W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1000V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
65A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2000nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
31600pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 50299 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ APTM100U13SG
APTM100U13SG ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
APTM100U13SG ฝ่ายขาย
APTM100U13SG ผู้จัดหา
APTM100U13SG ผู้จัดจำหน่าย
APTM100U13SG ตารางข้อมูล
APTM100U13SG ภาพถ่าย
APTM100U13SG ราคา
APTM100U13SG เสนอ
APTM100U13SG ราคาต่ำสุด
APTM100U13SG ค้นหา
APTM100U13SG การจัดซื้อ
APTM100U13SG Chip