ซื้อ Microsemi Corporation APTM120SK56T1G MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

APTM120SK56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

ส่วนจำนวน

APTM120SK56T1G

ผู้ผลิต/แบรนด์

Microsemi Corporation

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Bulk

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-40°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Chassis Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

SP1

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

SP1

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

390W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

1200V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

18A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

672 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

300nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

7736pF @ 25V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±30V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 26263 PCS

ข้อมูลติดต่อ