FQB9N50CFTM_WS
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
ส่วนจำนวน
FQB9N50CFTM_WS
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
FRFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D²PAK (TO-263AB)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
173W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1030pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 13678 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
FQB9N50CFTM_WS ฝ่ายขาย
FQB9N50CFTM_WS ผู้จัดหา
FQB9N50CFTM_WS ผู้จัดจำหน่าย
FQB9N50CFTM_WS ตารางข้อมูล
FQB9N50CFTM_WS ภาพถ่าย
FQB9N50CFTM_WS ราคา
FQB9N50CFTM_WS เสนอ
FQB9N50CFTM_WS ราคาต่ำสุด
FQB9N50CFTM_WS ค้นหา
FQB9N50CFTM_WS การจัดซื้อ
FQB9N50CFTM_WS Chip