NVD5890NLT4G
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
ส่วนจำนวน
NVD5890NLT4G
ผู้ผลิต/แบรนด์
สถานะชิ้นส่วน
Discontinued at Digi-Key
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DPAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
4W (Ta), 107W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
40V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
42nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4760pF @ 25V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 9586 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ NVD5890NLT4G
NVD5890NLT4G ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
NVD5890NLT4G ฝ่ายขาย
NVD5890NLT4G ผู้จัดหา
NVD5890NLT4G ผู้จัดจำหน่าย
NVD5890NLT4G ตารางข้อมูล
NVD5890NLT4G ภาพถ่าย
NVD5890NLT4G ราคา
NVD5890NLT4G เสนอ
NVD5890NLT4G ราคาต่ำสุด
NVD5890NLT4G ค้นหา
NVD5890NLT4G การจัดซื้อ
NVD5890NLT4G Chip