UNR211N00L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
ส่วนจำนวน
UNR211N00L
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
กำลัง - สูงสุด
200mW
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
Mini3-G1
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP - Pre-Biased
กระแสไฟ - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมอิมิตเตอร์พังทลาย (สูงสุด)
50V
Vce ความอิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดกระแสสะสม (สูงสุด)
500nA
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
ความถี่ - การเปลี่ยนแปลง
80MHz
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
4.7 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานตัวส่งสัญญาณ (R2)
47 kOhms
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 19307 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ UNR211N00L
UNR211N00L ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
UNR211N00L ฝ่ายขาย
UNR211N00L ผู้จัดหา
UNR211N00L ผู้จัดจำหน่าย
UNR211N00L ตารางข้อมูล
UNR211N00L ภาพถ่าย
UNR211N00L ราคา
UNR211N00L เสนอ
UNR211N00L ราคาต่ำสุด
UNR211N00L ค้นหา
UNR211N00L การจัดซื้อ
UNR211N00L Chip