ซื้อ Renesas Electronics America NP109N04PUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

NP109N04PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

ส่วนจำนวน

NP109N04PUG-E1-AY

ผู้ผลิต/แบรนด์

Renesas Electronics America

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-263-3

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1.8W (Ta), 220W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

40V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

110A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

270nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

15750pF @ 25V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 33157 PCS

ข้อมูลติดต่อ