STB180N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
ส่วนจำนวน
STB180N55F3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
STripFET™
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Digi-Reel®
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D2PAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
330W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
55V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
100nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6800pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 40324 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ STB180N55F3
STB180N55F3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
STB180N55F3 ฝ่ายขาย
STB180N55F3 ผู้จัดหา
STB180N55F3 ผู้จัดจำหน่าย
STB180N55F3 ตารางข้อมูล
STB180N55F3 ภาพถ่าย
STB180N55F3 ราคา
STB180N55F3 เสนอ
STB180N55F3 ราคาต่ำสุด
STB180N55F3 ค้นหา
STB180N55F3 การจัดซื้อ
STB180N55F3 Chip