ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

TK11A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

ส่วนจำนวน

TK11A60D(STA4,Q,M)

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

π-MOSVII

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tube

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Through Hole

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-220-3 Full Pack

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

TO-220SIS

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

45W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

600V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

11A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

28nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

1550pF @ 25V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±30V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 22034 PCS

ข้อมูลติดต่อ