TK12A60U(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
ส่วนจำนวน
TK12A60U(Q,M)
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
DTMOSII
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-220-3 Full Pack
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220SIS
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
35W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
720pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 10868 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ TK12A60U(Q,M)
TK12A60U(Q,M) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TK12A60U(Q,M) ฝ่ายขาย
TK12A60U(Q,M) ผู้จัดหา
TK12A60U(Q,M) ผู้จัดจำหน่าย
TK12A60U(Q,M) ตารางข้อมูล
TK12A60U(Q,M) ภาพถ่าย
TK12A60U(Q,M) ราคา
TK12A60U(Q,M) เสนอ
TK12A60U(Q,M) ราคาต่ำสุด
TK12A60U(Q,M) ค้นหา
TK12A60U(Q,M) การจัดซื้อ
TK12A60U(Q,M) Chip