TK12A60W,S4VX
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
ส่วนจำนวน
TK12A60W,S4VX
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
DTMOSIV
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-220-3 Full Pack
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220SIS
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
35W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
Super Junction
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
11.5A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
25nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
890pF @ 300V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 24817 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TK12A60W,S4VX ฝ่ายขาย
TK12A60W,S4VX ผู้จัดหา
TK12A60W,S4VX ผู้จัดจำหน่าย
TK12A60W,S4VX ตารางข้อมูล
TK12A60W,S4VX ภาพถ่าย
TK12A60W,S4VX ราคา
TK12A60W,S4VX เสนอ
TK12A60W,S4VX ราคาต่ำสุด
TK12A60W,S4VX ค้นหา
TK12A60W,S4VX การจัดซื้อ
TK12A60W,S4VX Chip