TK14G65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
ส่วนจำนวน
TK14G65W,RQ
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
DTMOSIV
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D2PAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
130W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
650V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
13.7A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1300pF @ 300V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 21403 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TK14G65W,RQ ฝ่ายขาย
TK14G65W,RQ ผู้จัดหา
TK14G65W,RQ ผู้จัดจำหน่าย
TK14G65W,RQ ตารางข้อมูล
TK14G65W,RQ ภาพถ่าย
TK14G65W,RQ ราคา
TK14G65W,RQ เสนอ
TK14G65W,RQ ราคาต่ำสุด
TK14G65W,RQ ค้นหา
TK14G65W,RQ การจัดซื้อ
TK14G65W,RQ Chip