TK31V60W,LVQ
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
ส่วนจำนวน
TK31V60W,LVQ
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
DTMOSIV
สถานะชิ้นส่วน
Discontinued at Digi-Key
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
4-VSFN Exposed Pad
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
4-DFN-EP (8x8)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
240W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
Super Junction
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
30.8A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
86nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3000pF @ 300V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 31459 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ TK31V60W,LVQ
TK31V60W,LVQ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TK31V60W,LVQ ฝ่ายขาย
TK31V60W,LVQ ผู้จัดหา
TK31V60W,LVQ ผู้จัดจำหน่าย
TK31V60W,LVQ ตารางข้อมูล
TK31V60W,LVQ ภาพถ่าย
TK31V60W,LVQ ราคา
TK31V60W,LVQ เสนอ
TK31V60W,LVQ ราคาต่ำสุด
TK31V60W,LVQ ค้นหา
TK31V60W,LVQ การจัดซื้อ
TK31V60W,LVQ Chip