ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

TPC8111(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

ส่วนจำนวน

TPC8111(TE12L,Q,M)

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

8-SOP (5.5x6.0)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1W (Ta)

ประเภท FET

P-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

30V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

11A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

107nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

5710pF @ 10V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 37625 PCS

ข้อมูลติดต่อ