ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

TPCF8B01(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

ส่วนจำนวน

TPCF8B01(TE85L,F,M

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

U-MOSIII

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Digi-Reel®

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-SMD, Flat Lead

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

VS-8 (2.9x1.5)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

330mW (Ta)

ประเภท FET

P-Channel

คุณสมบัติ FET

Schottky Diode (Isolated)

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

20V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

2.7A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

6nC @ 5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

470pF @ 10V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.8V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 22927 PCS

ข้อมูลติดต่อ