ซื้อ Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

ส่วนจำนวน

TPN2R805PL,L1Q

ผู้ผลิต/แบรนด์

Toshiba Semiconductor and Storage

ชุด

U-MOSIX-H

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

175°C

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-PowerVDFN

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

8-TSON Advance (3.3x3.3)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

2.67W (Ta), 104W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

45V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

139A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 300µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

39nC @ 10V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

3.2nF @ 22.5V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V, 10V

วีจีเอส (สูงสุด)

±20V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 51771 PCS

ข้อมูลติดต่อ