รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ส่วนจำนวน
TPN2R805PL,L1Q
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
U-MOSIX-H
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
-
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
175°C
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-PowerVDFN
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-TSON Advance (3.3x3.3)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
45V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
139A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
39nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 51771 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
TPN2R805PL,L1Q ฝ่ายขาย
TPN2R805PL,L1Q ผู้จัดหา
TPN2R805PL,L1Q ผู้จัดจำหน่าย
TPN2R805PL,L1Q ตารางข้อมูล
TPN2R805PL,L1Q ภาพถ่าย
TPN2R805PL,L1Q ราคา
TPN2R805PL,L1Q เสนอ
TPN2R805PL,L1Q ราคาต่ำสุด
TPN2R805PL,L1Q ค้นหา
TPN2R805PL,L1Q การจัดซื้อ
TPN2R805PL,L1Q Chip