ซื้อ Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TH120U IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

VS-GB200TH120U

IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK

ส่วนจำนวน

VS-GB200TH120U

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Semiconductor Diodes Division

ชุด

สถานะชิ้นส่วน

Active

อุณหภูมิในการทำงาน

150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Chassis Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

Double INT-A-PAK (3 + 4)

กำลัง - สูงสุด

1316W

การกำหนดค่า

Half Bridge

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

Double INT-A-PAK

กระแสไฟ - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)

330A

แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมอิมิตเตอร์พังทลาย (สูงสุด)

1200V

ปัจจุบัน - ตัวตัดกระแสสะสม (สูงสุด)

5mA

ประเภท IGBT

Vce(on) (สูงสุด) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 200A

ความจุอินพุต (Cies) @ Vce

16.9nF @ 30V

ป้อนข้อมูล

Standard

เทอร์มิสเตอร์กทช

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 43711 PCS

ข้อมูลติดต่อ