IRF830STRL
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
ส่วนจำนวน
IRF830STRL
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D2PAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
4.5A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
610pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 9226 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IRF830STRL
IRF830STRL ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IRF830STRL ฝ่ายขาย
IRF830STRL ผู้จัดหา
IRF830STRL ผู้จัดจำหน่าย
IRF830STRL ตารางข้อมูล
IRF830STRL ภาพถ่าย
IRF830STRL ราคา
IRF830STRL เสนอ
IRF830STRL ราคาต่ำสุด
IRF830STRL ค้นหา
IRF830STRL การจัดซื้อ
IRF830STRL Chip