IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
ส่วนจำนวน
IRF840ASTRRPBF
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D2PAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
125W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1018pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 12640 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IRF840ASTRRPBF
IRF840ASTRRPBF ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IRF840ASTRRPBF ฝ่ายขาย
IRF840ASTRRPBF ผู้จัดหา
IRF840ASTRRPBF ผู้จัดจำหน่าย
IRF840ASTRRPBF ตารางข้อมูล
IRF840ASTRRPBF ภาพถ่าย
IRF840ASTRRPBF ราคา
IRF840ASTRRPBF เสนอ
IRF840ASTRRPBF ราคาต่ำสุด
IRF840ASTRRPBF ค้นหา
IRF840ASTRRPBF การจัดซื้อ
IRF840ASTRRPBF Chip