IRF840STRR
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
ส่วนจำนวน
IRF840STRR
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D2PAK
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
63nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1300pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 41860 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IRF840STRR
IRF840STRR ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IRF840STRR ฝ่ายขาย
IRF840STRR ผู้จัดหา
IRF840STRR ผู้จัดจำหน่าย
IRF840STRR ตารางข้อมูล
IRF840STRR ภาพถ่าย
IRF840STRR ราคา
IRF840STRR เสนอ
IRF840STRR ราคาต่ำสุด
IRF840STRR ค้นหา
IRF840STRR การจัดซื้อ
IRF840STRR Chip