IRFBC40LCPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
ส่วนจำนวน
IRFBC40LCPBF
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tube
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-220-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220AB
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
125W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
6.2A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
39nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1100pF @ 25V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±30V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 37278 PCS
ข้อมูลติดต่อ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
คำสำคัญของ IRFBC40LCPBF
IRFBC40LCPBF ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
IRFBC40LCPBF ฝ่ายขาย
IRFBC40LCPBF ผู้จัดหา
IRFBC40LCPBF ผู้จัดจำหน่าย
IRFBC40LCPBF ตารางข้อมูล
IRFBC40LCPBF ภาพถ่าย
IRFBC40LCPBF ราคา
IRFBC40LCPBF เสนอ
IRFBC40LCPBF ราคาต่ำสุด
IRFBC40LCPBF ค้นหา
IRFBC40LCPBF การจัดซื้อ
IRFBC40LCPBF Chip