รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI1035X-T1-GE3

SI1035X-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V SC-89
ส่วนจำนวน
SI1035X-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
SOT-563, SOT-666
กำลัง - สูงสุด
250mW
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SC-89-6
ประเภท FET
N and P-Channel
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
180mA, 145mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 29796 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI1035X-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SI1035X-T1-GE3 ผู้จัดหา
SI1035X-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SI1035X-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SI1035X-T1-GE3 ภาพถ่าย
SI1035X-T1-GE3 ราคา
SI1035X-T1-GE3 เสนอ
SI1035X-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SI1035X-T1-GE3 ค้นหา
SI1035X-T1-GE3 การจัดซื้อ
SI1035X-T1-GE3 Chip