รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
ส่วนจำนวน
SI2303BDS-T1-E3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
-
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SOT-23-3 (TO-236)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
700mW (Ta)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
1.49A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
10nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
180pF @ 15V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 22397 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI2303BDS-T1-E3
SI2303BDS-T1-E3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI2303BDS-T1-E3 ฝ่ายขาย
SI2303BDS-T1-E3 ผู้จัดหา
SI2303BDS-T1-E3 ผู้จัดจำหน่าย
SI2303BDS-T1-E3 ตารางข้อมูล
SI2303BDS-T1-E3 ภาพถ่าย
SI2303BDS-T1-E3 ราคา
SI2303BDS-T1-E3 เสนอ
SI2303BDS-T1-E3 ราคาต่ำสุด
SI2303BDS-T1-E3 ค้นหา
SI2303BDS-T1-E3 การจัดซื้อ
SI2303BDS-T1-E3 Chip