รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
ส่วนจำนวน
SI2308BDS-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SOT-23-3 (TO-236)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
60V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
2.3A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
156 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
6.8nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
190pF @ 30V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 51389 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI2308BDS-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SI2308BDS-T1-GE3 ผู้จัดหา
SI2308BDS-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SI2308BDS-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SI2308BDS-T1-GE3 ภาพถ่าย
SI2308BDS-T1-GE3 ราคา
SI2308BDS-T1-GE3 เสนอ
SI2308BDS-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SI2308BDS-T1-GE3 ค้นหา
SI2308BDS-T1-GE3 การจัดซื้อ
SI2308BDS-T1-GE3 Chip