ซื้อ Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

SI2312CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

ส่วนจำนวน

SI2312CDS-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

SOT-23-3 (TO-236)

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

20V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

6A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

31.8 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

18nC @ 5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

865pF @ 10V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.8V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 6651 PCS

ข้อมูลติดต่อ