รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
ส่วนจำนวน
SI2315BDS-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
750mW (Ta)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
12V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
715pF @ 6V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±8V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 39865 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI2315BDS-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SI2315BDS-T1-GE3 ผู้จัดหา
SI2315BDS-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SI2315BDS-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SI2315BDS-T1-GE3 ภาพถ่าย
SI2315BDS-T1-GE3 ราคา
SI2315BDS-T1-GE3 เสนอ
SI2315BDS-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SI2315BDS-T1-GE3 ค้นหา
SI2315BDS-T1-GE3 การจัดซื้อ
SI2315BDS-T1-GE3 Chip