ซื้อ Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

ส่วนจำนวน

SI2315BDS-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

750mW (Ta)

ประเภท FET

P-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

12V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

3A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

15nC @ 4.5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

715pF @ 6V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 39865 PCS

ข้อมูลติดต่อ