รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
ส่วนจำนวน
SI2351DS-T1-E3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SOT-23-3 (TO-236)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1W (Ta), 2.1W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
2.8A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
5.1nC @ 5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
250pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
2.5V, 4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±12V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 28467 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI2351DS-T1-E3
SI2351DS-T1-E3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI2351DS-T1-E3 ฝ่ายขาย
SI2351DS-T1-E3 ผู้จัดหา
SI2351DS-T1-E3 ผู้จัดจำหน่าย
SI2351DS-T1-E3 ตารางข้อมูล
SI2351DS-T1-E3 ภาพถ่าย
SI2351DS-T1-E3 ราคา
SI2351DS-T1-E3 เสนอ
SI2351DS-T1-E3 ราคาต่ำสุด
SI2351DS-T1-E3 ค้นหา
SI2351DS-T1-E3 การจัดซื้อ
SI2351DS-T1-E3 Chip