รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
ส่วนจำนวน
SI2399DS-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SOT-23-3 (TO-236)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
835pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
2.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±12V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 41834 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI2399DS-T1-GE3
SI2399DS-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI2399DS-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SI2399DS-T1-GE3 ผู้จัดหา
SI2399DS-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SI2399DS-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SI2399DS-T1-GE3 ภาพถ่าย
SI2399DS-T1-GE3 ราคา
SI2399DS-T1-GE3 เสนอ
SI2399DS-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SI2399DS-T1-GE3 ค้นหา
SI2399DS-T1-GE3 การจัดซื้อ
SI2399DS-T1-GE3 Chip