รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
ส่วนจำนวน
SI4062DY-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SO
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
7.8W (Tc)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
60V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
32.1A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
60nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3175pF @ 30V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
4.5V, 10V
วีจีเอส (สูงสุด)
±20V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 28645 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI4062DY-T1-GE3
SI4062DY-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI4062DY-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SI4062DY-T1-GE3 ผู้จัดหา
SI4062DY-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SI4062DY-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SI4062DY-T1-GE3 ภาพถ่าย
SI4062DY-T1-GE3 ราคา
SI4062DY-T1-GE3 เสนอ
SI4062DY-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SI4062DY-T1-GE3 ค้นหา
SI4062DY-T1-GE3 การจัดซื้อ
SI4062DY-T1-GE3 Chip