รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI5433BDC-T1-GE3

SI5433BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
ส่วนจำนวน
SI5433BDC-T1-GE3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Cut Tape (CT)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
8-SMD, Flat Lead
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
1206-8 ChipFET™
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.3W (Ta)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
4.8A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
1.8V, 4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±8V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 17047 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI5433BDC-T1-GE3
SI5433BDC-T1-GE3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI5433BDC-T1-GE3 ฝ่ายขาย
SI5433BDC-T1-GE3 ผู้จัดหา
SI5433BDC-T1-GE3 ผู้จัดจำหน่าย
SI5433BDC-T1-GE3 ตารางข้อมูล
SI5433BDC-T1-GE3 ภาพถ่าย
SI5433BDC-T1-GE3 ราคา
SI5433BDC-T1-GE3 เสนอ
SI5433BDC-T1-GE3 ราคาต่ำสุด
SI5433BDC-T1-GE3 ค้นหา
SI5433BDC-T1-GE3 การจัดซื้อ
SI5433BDC-T1-GE3 Chip