ซื้อ Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SI5433BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

ส่วนจำนวน

SI5433BDC-T1-GE3

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Obsolete

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

8-SMD, Flat Lead

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

1206-8 ChipFET™

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

1.3W (Ta)

ประเภท FET

P-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

20V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

4.8A (Ta)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

22nC @ 4.5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.8V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 17047 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8