รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
ส่วนจำนวน
SI7882DP-T1-E3
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Obsolete
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
PowerPAK® SO-8
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.9W (Ta)
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
12V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
13A (Ta)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
30nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
2.5V, 4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±8V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 12634 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI7882DP-T1-E3
SI7882DP-T1-E3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI7882DP-T1-E3 ฝ่ายขาย
SI7882DP-T1-E3 ผู้จัดหา
SI7882DP-T1-E3 ผู้จัดจำหน่าย
SI7882DP-T1-E3 ตารางข้อมูล
SI7882DP-T1-E3 ภาพถ่าย
SI7882DP-T1-E3 ราคา
SI7882DP-T1-E3 เสนอ
SI7882DP-T1-E3 ราคาต่ำสุด
SI7882DP-T1-E3 ค้นหา
SI7882DP-T1-E3 การจัดซื้อ
SI7882DP-T1-E3 Chip