รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI8406DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
6-Micro Foot™ (1.5x1)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
16A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20nC @ 8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
830pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
1.8V, 4.5V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 33768 PCS
คำสำคัญของ SI8406DB-T2-E1
SI8406DB-T2-E1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI8406DB-T2-E1 ฝ่ายขาย
SI8406DB-T2-E1 ผู้จัดหา
SI8406DB-T2-E1 ผู้จัดจำหน่าย
SI8406DB-T2-E1 ตารางข้อมูล
SI8406DB-T2-E1 ภาพถ่าย
SI8406DB-T2-E1 ราคา
SI8406DB-T2-E1 เสนอ
SI8406DB-T2-E1 ราคาต่ำสุด
SI8406DB-T2-E1 ค้นหา
SI8406DB-T2-E1 การจัดซื้อ
SI8406DB-T2-E1 Chip