ซื้อ Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

ดูข้อมูลเพิ่มเติม แผ่นข้อมูล

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

ส่วนจำนวน

SI8429DB-T1-E1

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Tape & Reel (TR)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

4-XFBGA, CSPBGA

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

4-Microfoot

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

ประเภท FET

P-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

11.7A (Tc)

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

26nC @ 5V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

1640pF @ 4V

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.2V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±5V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 10587 PCS

ข้อมูลติดต่อ