รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.
SI8465DB-T2-E1

SI8465DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
ส่วนจำนวน
SI8465DB-T2-E1
ผู้ผลิต/แบรนด์
ชุด
TrenchFET®
สถานะชิ้นส่วน
Active
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ/กล่อง
4-XFBGA, CSPBGA
แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
4-Microfoot
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
ประเภท FET
P-Channel
คุณสมบัติ FET
-
ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
450pF @ 10V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)
2.5V, 4.5V
วีจีเอส (สูงสุด)
±12V
ขอใบเสนอราคา
กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ [email protected] เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด
มีสินค้า 14315 PCS
ข้อมูลติดต่อ
คำสำคัญของ SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
SI8465DB-T2-E1 ฝ่ายขาย
SI8465DB-T2-E1 ผู้จัดหา
SI8465DB-T2-E1 ผู้จัดจำหน่าย
SI8465DB-T2-E1 ตารางข้อมูล
SI8465DB-T2-E1 ภาพถ่าย
SI8465DB-T2-E1 ราคา
SI8465DB-T2-E1 เสนอ
SI8465DB-T2-E1 ราคาต่ำสุด
SI8465DB-T2-E1 ค้นหา
SI8465DB-T2-E1 การจัดซื้อ
SI8465DB-T2-E1 Chip