ซื้อ Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1 MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

จีน
ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ระดับมืออาชีพ

แคตตาล็อก ผู้ผลิต CN ICs

รูปภาพอาจเป็นภาพแทน
ดูข้อมูลจำเพาะสำหรับรายละเอียดสินค้า.

แผ่นข้อมูล

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

ส่วนจำนวน

SI8806DB-T2-E1

ผู้ผลิต/แบรนด์

Vishay Siliconix

ชุด

TrenchFET®

สถานะชิ้นส่วน

Active

บรรจุภัณฑ์

Cut Tape (CT)

เทคโนโลยี

MOSFET (Metal Oxide)

อุณหภูมิในการทำงาน

-55°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง

Surface Mount

แพ็คเกจ/กล่อง

4-XFBGA

แพคเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์

4-Microfoot

การกระจายพลังงาน (สูงสุด)

500mW (Ta)

ประเภท FET

N-Channel

คุณสมบัติ FET

ระบายไปยังแหล่งแรงดันไฟฟ้า (Vdss)

12V

ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25�C

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs

17nC @ 8V

ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds

แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)

1.8V, 4.5V

วีจีเอส (สูงสุด)

±8V

ขอใบเสนอราคา

กรุณากรอกข้อมูลในช่องที่ต้องกรอกทั้งหมดแล้วคลิก "ส่ง" เราจะติดต่อคุณภายใน 12 ชั่วโมงทางอีเมล หากคุณมีปัญหาใดๆ โปรดฝากข้อความหรือส่งอีเมลไปที่ chen_hx1688@hotmail.com เราจะตอบกลับโดยเร็วที่สุด

มีสินค้า 21885 PCS

ข้อมูลติดต่อ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT